DTC115GKAT146
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | DTC115GKAT146 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.0561 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | SMT3 |
Serie | DTC115G |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Leistung - max | 200 mW |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 82 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | DTC115 |
DTC115GKAT146 Einzelheiten PDF [English] | DTC115GKAT146 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DTC115GKAT146Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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